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      漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      70

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      74

      最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      47

      通道极性：

      N沟道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描（miáo）述：

      650V,74mΩ,47A,N沟道基于超级结（jié）技术（shù）的功率MOSFET



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